陶氏化學(xué)公司（NYSE:DOW）旗下的陶氏電子材料將於2011年11月10日在臺(tái)灣的臺(tái)北南港展覽中心舉辦的世界電子電路大會(huì)（ElectronicCircuitWorldConvention,ECWC）上發(fā)表四篇技術(shù)論文。陶氏電子材料將在ECWC以及臺(tái)灣電路板際展覽會(huì)（TPCA）、德際電子生產(chǎn)設(shè)備貿(mào)易博覽會(huì)（Productronica）以及香港線路板協(xié)會(huì)（HKPCA）展會(huì)上，介紹其創(chuàng)新的解決方案，這些解決方案將使得印刷電路板（PrintedCircuitBoard,PCB）產(chǎn)業(yè)能滿足未來對(duì)於提高電路裝配密度、可靠性以及成本效益方面的需求。

　　這些技術(shù)論文將介紹創(chuàng)新的解決方案以解決客戶對(duì)技術(shù)方面的要求，主要涵蓋PCB制造的四個(gè)重要領(lǐng)域。其詳細(xì)內(nèi)容和安排如下：

　　主題：用於通孔填孔的新型銅電鍍技術(shù)

　　摘要：描述了用於通孔填孔的陶氏的新型銅電鍍技術(shù)，該項(xiàng)技術(shù)可以提高PCB的可靠性、電導(dǎo)率和熱導(dǎo)率，同時(shí)還可以降低工藝成本。

　　時(shí)間：11月10日上午10:10；R502；ECWC7研討會(huì)：金屬化技術(shù)

　　主題：高級(jí)的半加成工藝(Semi-AdditiveProcess,SAP)金屬化技術(shù)

　　摘要：介紹了陶氏的SAP金屬化技術(shù)在連續(xù)形成的介電材料上如何提高了化學(xué)鍍銅的覆蓋率和黏結(jié)力，從而提高了半導(dǎo)體包裝基底材料上的可靠性。

　　時(shí)間：11月10日下午1:30；R502；ECWC12研討會(huì)：金屬化技術(shù)

　　主題：高速直流(HighSpeedDirectCurrent,HSDC)銅電鍍技術(shù)

　　摘要：陶氏的HSDC電鍍技術(shù)可應(yīng)對(duì)提高生產(chǎn)量的挑戰(zhàn)，同時(shí)還可以保持產(chǎn)品的可靠性水平并且擴(kuò)大工藝產(chǎn)能。

　　時(shí)間：11月10日下午3:30；R502；ECWC12研討會(huì)：金屬化技術(shù)

　　主題：氰化金鉀的替代品：浸金工藝中的-金的研究

　　摘要：在陶氏的新型的浸金工藝過程中，對(duì)所使用的一種氰化金鉀的替代產(chǎn)品金鹽進(jìn)行了評(píng)估，結(jié)果顯示出其可以實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的化學(xué)鍍鎳金（ENIG）涂層，這種涂層滿足現(xiàn)有的在焊錫性、可靠性以及防腐性能方面的要求。

　　時(shí)間：11月10日下午5:10；R503；ECWC13研討會(huì)：金屬的表面處理

　　陶氏電子材料非常高興能在ECWC上發(fā)表這些創(chuàng)新技術(shù)，這些技術(shù)有助於滿足電子產(chǎn)品在小型化和多功能化方面的要求，同時(shí)亦為PCB產(chǎn)業(yè)樹立了新的里程碑，陶氏電子材料的電子互連技術(shù)事業(yè)部全球總經(jīng)理張巍說道。憑藉我們在該行業(yè)所具備的專業(yè)能力、對(duì)市場需求的反應(yīng)速度、全球化的布局以及本地化的專業(yè)人才，我們將致力於與我們的客戶共同創(chuàng)新以建立一個(gè)互連的世界。

　　陶氏電子材料還將在今年的下列展會(huì)上展示其創(chuàng)新技術(shù)：

　　TPCA（臺(tái)灣電路板際展覽會(huì)）展會(huì)：K421，臺(tái)北南港展覽中心，臺(tái)灣，11月9日-11日；

　　Productronica（際電子生產(chǎn)設(shè)備貿(mào)易博覽會(huì)）展會(huì)：305，B1大廳，慕尼黑展覽中心，德，11月15日-18日；

　　HKPCA（香港線路板協(xié)會(huì)）展會(huì)：Q23，1號(hào)大廳，深圳會(huì)展中心，中，11月30日-12月2日。